安森美颁布笔直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化周围带来冲破性技能安森美基于全新GaN-on-GaN技能，其笔直GaN架构为功率密度、能效和耐用性创办新标杆

　　跟着环球能源需求因 AI 数据中央、电动汽车以及其他高能耗操纵而激增，安森美推出笔直氮化镓（vGaN）功率半导体，为合连操纵的功率密度、能效和耐用性创办新标杆。这些冲破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体可以使电流笔直流过化合物半导体，能完毕更高的事务电压和更疾的开合频率，助力AI 数据中央、电动汽车（EV）、可再生能源，以及航空航天等周围完毕更节能、更轻量紧凑的编制。

　　 专有的GaN-on-GaN技能完毕更高压笔直电流导通，助助更疾的开合速率和更紧凑的策画。

　　 由安森美正在纽约锡拉丘兹的研发团队开垦，涵盖根本工艺、器件架构、创修及编制改进的130众项专利。

　　安森美的笔直GaN技能是一项冲破性的功率半导体技能，为AI和电气化时间创办了正在能效、功率密度和耐用性方面的新标杆。该技能正在安森美纽约锡拉丘兹的工场研发和创修，并已得回涵盖笔直GaN技能的根本工艺、器件策画、创修以及编制改进的130众项环球专利。

　　“笔直GaN是倾覆行业形式的技能冲破，稳固了安森美正在能效与改进周围的领先名望。跟着电气化和人工智能重塑家产形式，能效已成为量度提高的新标杆。咱们的电源产物组合中新增笔直GaN技能，赋能客户冲破机能边境，是打制更具比赛力产物的理思选拔。安森美这一冲破，正开创以能效与功率密度为制胜合头的将来。”安森美企业计谋高级副总裁 Dinesh Ramanathan说。

　　寰宇正步入一个全新的时间，能源正成为技能提高的合头限制要素。从电动汽车和可再生能源，到当前乃至超出少许都市耗电量的AI数据中央，电力需求的拉长速率远超咱们高效发电与输电的才力。当前，每一瓦的节能都至合厉重。

　　安森美的笔直氮化镓技能采用单芯片策画，可应对1,200伏及以上高压，高频开合大电流，能效特出。基于该技能构修的高端电源编制能低落近50%的能量损耗，同时因其更高的事务频率，所以电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。况且，与目前市售的横向GaN器件比拟，笔直氮化镓器件的体积约为其三分之一。因而，安森美的笔直氮化镓尤为适合对功率密度、热机能和牢靠性有厉苛条件的合头大功率操纵周围，蕴涵：

　　 AI数据中央：删除元器件数目，抬高AI策画编制800V DC-DC转换器的功率密度，明显优化单机架本钱

　　 电动汽车：打制更小、更轻、更高效的逆变器，擢升电动汽车续航里程

　　 可再生能源：擢升太阳能和风能逆变器的电压管制才力，低落能量损耗

　　 储能编制（ESS）：为电池变流器和微电网供给敏捷、高效、高密度的双向供电

　　 工业自愿化：开垦体积更小、散热机能更好、能效更高的电机驱动和机械人编制

　　目前市售的大大批GaN器件都采用非氮化镓衬底，首要是硅或蓝宝石衬底。对付超高压器件，安森美的笔直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技能，使电流可以笔直流过芯片，而不是沿外观横向滚动。这策画可完毕更高的功率密度、更优异的热牢固性，且正在十分条目下机能仍然妥当。依据这些上风，vGaN一共超越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）和蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，供给更高的耐压才力、开合频率、牢靠性以及耐用性。这有助于开垦更小、更简捷、更高效的电源编制，同时低落散热需乞降团体编制本钱。首要上风蕴涵：

　　 更高的功率密度：笔直GaN能以更小的尺寸秉承更高的电压和更大的电流

　　 更高的能效：正在功率转换经过中删除能量损耗，低落发烧量和散热本钱

　　 编制更紧凑：更高的开合频率能缩减电容器和电感器等无源元件的尺寸

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